| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/687431574 |
| Дата корректировки | 9:22:46 13 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.02.45445.8645 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Павлов, Н. В. | |
|
Внутризонное поглощение излучения дырками в квантовых ямах InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP Электронный ресурс |
|
| Intraband light absorption by holes in InAsSb/AlSb and InGaAsP/InP quantum wells | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 19 назв. |
| Аннотация | В рамках четырехзонной модели Кейна выполнен микроскопический анализ механизма внутризонного поглощения излучения дырками с переходом их в спин-отщепленную зону для квантовых ям на основе полупроводников InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP. Расчет проведен для двух поляризаций падающего излучения: вдоль оси роста кристалла и в плоскости квантовой ямы. Показано, что поглощение с переходом в дискретный спектр спин-отщепленных дырок имеет большую интенсивность, чем для переходов в непрерывный спектр. Проведен подробный анализ зависимости коэффициента внутризонного поглощения от температуры, концентрации дырок и ширины квантовой ямы. Показано, что данный процесс может быть основным механизмом внутренних потерь излучения для лазеров на квантовых ямах. |
| Ключевые слова | внутризонное поглощение излучения |
|
квантовые ямы полупроводники лазерные структуры волновые функции спектры дырок |
|
|
Зегря, Г. Г. Зегря, А. Г. Бугров, В. Е. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 2. - С. 207-220 |
|
| Имя макрообъекта | Павлов_внутризонное |
| Тип документа | b |
