| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/687280988 |
| Дата корректировки | 15:28:07 11 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.01.45327.8436 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Иванов, П. А. | |
|
О пространственной локализации свободных электронов в n-канальных МОП-транзисторах на основе 4H-SiC Электронный ресурс |
|
| Spatial distributions of free electrons in 4H-SiC based MOSFETs | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 6 назв. |
| Аннотация | Теоретически рассматривается вопрос о пространственной локализации свободных электронов в 4H-SiC МОП-транзисторах с обогащенным и инверсным n-каналом. Анализ показал, что в оптимально сконструированных транзисторах с обогащенным каналом среднее расстояние, на котором свободные электроны локализованы от поверхности 4H-SiC, может быть на порядок больше по сравнению с транзисторами с инверсным каналом. Это должно давать транзисторам с обогащенным каналом преимущество по эффективной подвижности электронов в проводящем канале. |
| Ключевые слова | пространственная локализация |
|
свободные электроны МОП-транзисторы карбид кремния |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 1. - С. 105-109 |
|
| Имя макрообъекта | Иванов_о пространственной |
| Тип документа | b |
