| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686853663 |
| Дата корректировки | 16:46:50 6 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.12.45174.37 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Румянцев, В. В. | |
|
Исследования волноводных структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe для получения длинноволнового стимулированного излучения Электронный ресурс |
|
| Studies of HgCdTe waveguide structures with quantum wells for long-wavelength stimulated emission | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 34 назв. |
| Аннотация | Исследуются фотолюминесценция и стимулированное излучение на межзонных переходах в квантовых ямах на основе HgCdTe, помещенных в диэлектрический волновод из широкозонного твердого раствора CdHgTe. Гетероструктуры с квантовыми ямами на основе HgCdTe представляют интерес для создания длинноволновых лазеров на диапазон 25-60 мкм, к настоящему времени недоступный для квантово-каскадных лазеров. В работе обсуждаются оптимальные дизайны квантовых ям для достижения длинноволнового стимулированного излучения при оптической накачке. Показано, что узкие квантовые ямы из чистого HgTe оказываются перспективнее для длинноволновых лазеров по сравнению с широкими (потенциальными) ямами из твердого раствора за счет подавления оже-рекомбинации. Продемонстрировано, что технология молекулярно-лучевой эпитаксии позволяет получать структуры для локализации излучения с длиной волны вплоть до 25 мкм при высокой скорости роста. Получено стимулированное излучение на длинах волн 14-6мкм с пороговой интенсивностью накачки в диапазоне 100-500 Вт/см{2} при 20K. |
| Ключевые слова | волноводные структуры |
|
квантовые ямы длинноволновое стимулированное излучение стимулированное излучение фотолюминесценция диэлектрические волноводы |
|
|
Кадыков, А. М. Фадеев, М. А. Дубинов, А. А. Уточкин, В. В. Михайлов, Н. Н. Дворецкий, С. А. Морозов, С. В. Гавриленко, В. И. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 51, вып. 12. - С. 1616-1620 |
| Имя макрообъекта | Румянцев_исследования |
| Тип документа | b |
