| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686850523 |
| Дата корректировки | 15:53:21 6 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.12.45169.31 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Бушуйкин, П. А. | |
|
Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота Электронный ресурс |
|
| The peculiarities of photoexcitation spectra of InN epitaxial layers grown by the PAMBE technique | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 22 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты исследования спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN с концентрацией свободных носителей 10{18}-10{19} см{-3}, сформированных в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. Спектры фотопроводимости, фотолюминесценции и поглощения демонстрируют сдвиг красной границы межзонных переходов в соответствии с эффектом Бурштейна-Мосса для n-InN с различной концентрацией равновесных электронов. Для исследованных образцов наблюдалась абсолютная отрицательная фотопроводимость с наносекундным временем релаксации. Результаты фотоэлектрических, абсорбционных и люминесцентных спектроскопических экспериментов сопоставлены с технологическими параметрами и данными электронной микроскопии. |
| Ключевые слова | спектры фотовозбуждения |
|
эпитаксиальные слои InN нитрид индия молекулярно-пучковя эпитаксия плазменная активация азота азот фотолюминесценция эффект Бурштейна-Мосса прямозонные полупроводники полупроводники |
|
|
Новиков, А. В. Андреев, Б. А. Лобанов, Д. Н. Юнин, П. А. Скороходов, Е. В. Красильникова, Л. В. Демидов, Е. В. Савченко, Г. М. Давыдов, В. Ю. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 12. - С. 1594-1598 |
|
| Имя макрообъекта | Бушуйкин_особенности |
| Тип документа | b |
