| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686849818 |
| Дата корректировки | 15:41:49 6 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.12.45175.38 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Бовкун, Л. С. | |
|
Активационная проводимость в квантовых ямах HgTe/CdHgTe при целочисленных факторах заполнения уровней Ландау: роль случайного потенциала Электронный ресурс |
|
| Activated conductivity in HgTe/CdHgTe quantum wells at integer Landau level filling factors: role of disorder potential | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил.,табл. |
| Библиография | Библиогр.: 51 назв. |
| Аннотация | В квантовых ямах HgTe/CdHgTe шириной 8 нм с концентрацией электронов (1.7-13) · 10{11} см{-2} проведены исследования осцилляций Шубникова-де-Гааза в диапазоне температур от 1.6 до 40 K. Из анализа температурной зависимости амплитуды осцилляций при целочисленных факторах заполнения определены значения щелей между уровнями Ландау и квантовое время рассеяния. Экспериментальные значения щелей находятся в хорошем согласии с результатами одноэлектронных расчетов энергий уровней в рамках 8-зонной модели Кейна. Полученные экспериментальные значения ширины плотности состояний свидетельствуют о сильном экранировании обменного взаимодействия в квантовых ямах HgTe/CdHgTe. |
| Служебное примечание | Алёшкин, В. Я. |
| Ключевые слова | активационная проводимость |
|
квантовые ямы уровни Ландау осцилляции Шубникова-де-Гааза квантовое время рассеяния |
|
|
Иконников, А. В. Алешкин, В. Я. Криштопенко, С. С. Антонов, А. В. Спирин, К. Е. Михайлов, Н. Н. Дворецкий, С. А. Гавриленко, В. И. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 12. - С. 1621-1629 |
|
| Имя макрообъекта | Бовкун_активационная |
| Тип документа | b |
