| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686767370 |
| Дата корректировки | 16:53:05 5 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.11.45099.13 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Охапкин, А. И. | |
|
Низкотемпературное осаждение пленок SiN[x] в индуктивно-связанной плазме SiH[4]/Ar+N[2] в условиях сильного разбавления силана аргоном Электронный ресурс |
|
| Low temperature SiN[x] films deposition by SiH[4]/Ar+N[2] inductively coupled plasma under strong silane dilution in argon | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 14 назв. |
| Аннотация | Получены пленки SiN[x] на кремнии в индуктивно-связанной плазме SiH[4]/Ar+N[2] в условиях сильного разбавления силана аргоном. Изучены зависимости скорости осаждения и свойств нитрида кремния от газового состава плазмы, давления, мощности емкостного и индуктивного разрядов. В ряде случаев характер найденных зависимостей отличается от литературных данных, известных для неразбавленных реагентов. Установлено, что наименьшее содержание примесей в пленках и их наилучшие свойства реализуются при соотношении азота и силана, близком к 1.4. Возрастание мощности емкостного разряда способствует получению более гладких образцов за счет полирующего действия ионов аргона. |
| Служебное примечание | Королев, C. А. |
| Ключевые слова | индуктивно-связанная плазма |
|
низкотемпературное осаждение пленок осаждение пленок нитрид кремния силан аргон полупроводниковые приборы диэлектрические покрытия |
|
|
Королёв, C. А. Юнин, П. А. Дроздов, М. Н. Краев, С. А. Хрыкин, О. И. Шашкин, В. И. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 11. - С. 1503-1506 |
|
| Имя макрообъекта | Охапкин_низкотемпературное |
| Тип документа | b |
