| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686765388 |
| Дата корректировки | 16:18:22 5 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.11.45107.21 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Мурель, А. В. | |
|
Емкостная спектроскопия дырочных ловушек в высокоомных структурах арсенида галлия, выращенных жидкофазным методом Электронный ресурс |
|
| Capacitance spectroscopy of hole traps in high-resistance structures of gallium arsenide grown by liquid-phase method | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 17 назв. |
| Аннотация | В выращенных методом жидкофазной эпитаксии GaAs-структурах с дырочным типом проводимости методами емкостной спектроскопии (адмиттанс-спектроскопии и нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней) обнаружены три глубоких акцепторных уровня с энергиями активации ~ 0.7, ~ 0.41 и ~ 0.16 эВ. Первые два уровня известны как HL2, HL5 и связываются с особенностями роста слоев GaAs методом жидкофазной эпитаксии. Они являются эффективными рекомбинационными центрами, определяющими обратные токи в p-i-n-диодах, что подтверждается изучением температурных зависимостей обратных токов. Уровень с энергией E[v] + 0.16 эВ может быть связан с двухзарядным акцепторным уровнем собственного антиструктурного дефекта GaAs, который в однозарядном состоянии определяет уровень легирования структур. |
| Ключевые слова | жидкофазная эпитаксия |
|
емкостная спектроскопия спектроскопия дырочные ловушки высокоомные структуры арсенид-галлиевые гетероструктуры арсенид-галлия гетероструктуры |
|
|
Шмагин, В. Б. Крюков, В. Л. Стрельченко, С. С. Суровегина, Е. А. Шашкин, В. И. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 11. - С. 1538-1542 |
|
| Имя макрообъекта | Мурель_емкостная |
| Тип документа | b |
