| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Емкостная спектроскопия дырочных ловушек в высокоомных структурах арсенида галлия, выращенных жидкофазным методом Электронный ресурс |
|
| Аннотация | В выращенных методом жидкофазной эпитаксии GaAs-структурах с дырочным типом проводимости методами емкостной спектроскопии (адмиттанс-спектроскопии и нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней) обнаружены три глубоких акцепторных уровня с энергиями активации ~ 0.7, ~ 0.41 и ~ 0.16 эВ. Первые два уровня известны как HL2, HL5 и связываются с особенностями роста слоев GaAs методом жидкофазной эпитаксии. Они являются эффективными рекомбинационными центрами, определяющими обратные токи в p-i-n-диодах, что подтверждается изучением температурных зависимостей обратных токов. Уровень с энергией E[v] + 0.16 эВ может быть связан с двухзарядным акцепторным уровнем собственного антиструктурного дефекта GaAs, который в однозарядном состоянии определяет уровень легирования структур. |
| Ключевые слова | жидкофазная эпитаксия |
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 11. - С. 1538-1542 |
|
| Имя макрообъекта | Мурель_емкостная |
