| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686677393 |
| Дата корректировки | 15:52:17 4 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.11.45091.05 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Дегтярев, В. Е. | |
|
Влияние электрического поля на соотношение параметров Рашба и Дрессельхауза в гетероструктурах А{III}B{V} Электронный ресурс |
|
| Influence of the electric field on the ratio between Rashba and Dresselhaus parameters in A{III}B{V} heterostructures | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 24 назв. |
| Аннотация | С помощью 8-зонной модели Кейна и конечно-разностной схемы с дискретизацией в координатном пространстве численно выполнены расчеты энергий подзон размерного квантования и огибающих волновых функций для квантовых ям [001] на основе полупроводников А{III}B{V} со структурой цинковой обманки. Исследовано влияние зонных параметров квантовой ямы, а также величины внешнего электрического поля, ориентированного вдоль направления роста структуры, на соотношение параметров спин-орбитального взаимодействия Рашба и Дрессельхауза. Показано, что в структурах GaAs/InGaAs при определенных значениях электрического поля возможно равенство параметров спин-орбитального взаимодействия, что является условием формирования устойчивых спиновых "хеликсов". Установлено также, что в симметричных ямах GaAs/InGaAs при определенных ширинах ям и химическом составе барьеров может исчезать линейное по волновому вектору спин-орбитальное взаимодействие. |
| Служебное примечание | Дегтярёв, В. Е. |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
|
квантово-размерные структуры эффект Холла спин-орбитальные взаимодействия параметры Рашба параметры Дрессельхауза симметричные квантовые ямы квантовые ямы полупроводники |
|
|
Хазанова, C. В. Конаков, А. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 11. - С. 1462-1467 |
|
| Имя макрообъекта | Дегтярев_влияние |
| Тип документа | b |
