| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Влияние электрического поля на соотношение параметров Рашба и Дрессельхауза в гетероструктурах А{III}B{V} Электронный ресурс |
|
| Аннотация | С помощью 8-зонной модели Кейна и конечно-разностной схемы с дискретизацией в координатном пространстве численно выполнены расчеты энергий подзон размерного квантования и огибающих волновых функций для квантовых ям [001] на основе полупроводников А{III}B{V} со структурой цинковой обманки. Исследовано влияние зонных параметров квантовой ямы, а также величины внешнего электрического поля, ориентированного вдоль направления роста структуры, на соотношение параметров спин-орбитального взаимодействия Рашба и Дрессельхауза. Показано, что в структурах GaAs/InGaAs при определенных значениях электрического поля возможно равенство параметров спин-орбитального взаимодействия, что является условием формирования устойчивых спиновых "хеликсов". Установлено также, что в симметричных ямах GaAs/InGaAs при определенных ширинах ям и химическом составе барьеров может исчезать линейное по волновому вектору спин-орбитальное взаимодействие. |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 11. - С. 1462-1467 |
|
| Имя макрообъекта | Дегтярев_влияние |
