| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686673257 |
| Дата корректировки | 14:48:06 4 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.11.45106.20 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Борисов, В. И. | |
|
Полупроводниковые структуры с одномерным квантовым каналом и планарными боковыми затворами, созданные методом импульсной силовой нанолитографии Электронный ресурс |
|
| Semiconductor Structures with One-Dimensional Quantum Channel and in-plane side gates fabricated with Pulse Force Nanolithography Method | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 5 назв. |
| Аннотация | Квазиодномерные полупроводниковые структурыс изменяемым продольным потенциальным рельефом созданы методом импульсной силовой нанолитографии, выполняемой с использованием атомно-силового микроскопа. Структуры изготавливались на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с глубоким (130 нм от поверхности) залеганием двумерного электронного газа. Потенциальный профиль канала формировался с помощью секционированных планарных затворов, созданных по обеим сторонам канала. Электрические параметры полученных структур, измеренные при температурах до 1.5K, подтвердили эффективность примененного метода для создания изолирующих областей с латеральными размерами ~ 10 нм. |
| Ключевые слова | полупроводниковые структуры |
|
квазиодномерные полупроводниковые структуры импульсная силовая нанолитография гетероструктуры затворы Шоттки полупроводниковые эпитаксиальные структуры |
|
|
Кувшинова, Н. А. Курочка, С. П. Сизов, В. Е. Степушкин, М. В. Темирязев, А. Г. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 11. - С. 1534-1537 |
|
| Имя макрообъекта | Борисов_полупроводниковые |
| Тип документа | b |
