| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Полупроводниковые структуры с одномерным квантовым каналом и планарными боковыми затворами, созданные методом импульсной силовой нанолитографии Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Квазиодномерные полупроводниковые структурыс изменяемым продольным потенциальным рельефом созданы методом импульсной силовой нанолитографии, выполняемой с использованием атомно-силового микроскопа. Структуры изготавливались на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с глубоким (130 нм от поверхности) залеганием двумерного электронного газа. Потенциальный профиль канала формировался с помощью секционированных планарных затворов, созданных по обеим сторонам канала. Электрические параметры полученных структур, измеренные при температурах до 1.5K, подтвердили эффективность примененного метода для создания изолирующих областей с латеральными размерами ~ 10 нм. |
| Ключевые слова | полупроводниковые структуры |
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 11. - С. 1534-1537 |
|
| Имя макрообъекта | Борисов_полупроводниковые |
