| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686420912 |
| Дата корректировки | 16:35:43 1 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.11.45100.14 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Алексеев, А. Н. | |
|
Исследование влияния сурфактанта Ga при высокотемпературной аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии слоев AlN на свойства нитридных гетероструктур Электронный ресурс |
|
| Study of the influence of Ga as surfactant on properties of nitride heterostructures grown by high temperature ammonia MBE of AlN layers | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 5 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты выращивания буферных слоев AlN для транзисторов с высокой подвижностью электронов методом высокотемпературной аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием Ga в качестве сурфактанта. Основными параметрами, влияющими на кинетику роста и дефектообразование, являются эффективные потоки прекурсоров и сурфактанта, а также температура подложки, которая ограничивает поток сурфактанта из-за десорбции Ga с поверхности. В частности, добавление потока Ga, равного потоку Al, при температуре подложки 1150°C не изменяет скорость роста, меняя при этом его кинетику. Такой подход позволяет повысить поверхностнуюпо движность адатомов и обеспечивает быстрый переход в режим 2D-роста. В гетероструктурах с двумерным электронным газом, выращенных с использованием сурфактанта, была достигнута подвижность носителей до 2000 см{2}/В · с. |
| Ключевые слова | сурфактанты |
|
аммиачная молекулярно-лучевая эпитаксия нитридные гетероструктуры галлий гетероструктуры |
|
|
Мамаев, В. В. Петров, С. И. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 51, вып. 11. - С. 1507-1509 |
| Имя макрообъекта | Алексеев_исследование |
| Тип документа | b |
