| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686416898 |
| Дата корректировки | 15:33:30 1 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.10.45020.8381 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Чукавин, А. И. | |
|
Исследования методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии наноструктур ZnS[x]Se[1-x], полученных в матрице пористого оксида алюминия Электронный ресурс |
|
| XPS investigations of ZnS[x]Se[1-x] nanostructures in porous Al[2]O[3] | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 10 назв. |
| Аннотация | Наноструктуры полупроводниковых соединений ZnS[x]Se[1-x] (x = 0, 0.1, 0.3, 0.5, 0.7, 1) были синтезированы с использованием темплатного метода, основанного на формировании наночастиц полупроводника в шаблонах пористого анодного оксида алюминия при помощи метода вакуумного термического испарения смеси порошков ZnS и ZnSe. Представлены результаты исследований элементного состава полученных наноструктур в зависимости от состава исходной смеси и параметров матрицы-подложки методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Показано, что состав наноструктур близок к составу исходных порошков и может быть задан соотношением ZnS/ZnSe в исходной смеси. |
| Ключевые слова | рентгеновскя фотоэлектронная спектроскопия |
|
наноструктуры пористый оксид алюминия оксид алюминия полупроводниковые соединения вакуумное термическое испарение |
|
|
Валеев, Р. Г. Бельтюков, А. Н. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 10. - С. 1400-1403 |
|
| Имя макрообъекта | Чукавин_исследования |
| Тип документа | b |
