| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686076804 |
| Дата корректировки | 17:01:33 27 сентября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.09.44897.8516 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Тысченко, И. Е. | |
|
Особенности ионно-лучевого синтеза нанокристаллов Ge в тонких пленках SiO[2] Электронный ресурс |
|
| Specifics of Ge nanocrystal ion-beam synthesis in thin SiO[2] films | |
| Библиография | Библиогр.: 13 назв. |
| Аннотация | Изучены закономерности формирования нанокристаллов германия в тонких пленках SiO[2], имплантированных ионами Ge+ при высокотемпературном отжиге (1130°C), в зависимости от величины гидростатического давления. Установлено, что отжиг при атмосферном давлении сопровождается диффузией атомов германия из области имплантации в подложку Si и не приводит к формированию нанокристаллов Ge. Увеличение давления во время отжига приводит к замедлению диффузии германия в кремний и сопровождается формированием двойниковых ламелей на границе раздела Si/SiO[2] (при давлениях ~ 10{3} бар) либо зарождением и ростом нанокристаллов Ge (при давлениях ~ 10{4} бар) в пленке SiO[2] . Полученные результаты обсуждаются с точки зрения изменения активационного объема образования и миграции точечных дефектов в условиях сжатия. |
| Ключевые слова | ионно-лучевой синтез |
|
нанокристаллы Ge германий тонкие пленки диффузия атомов гидростатическое давление |
|
|
Черков, А. Г. Володин, В. А. Voelskow, M. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 9. - С. 1289-1294 |
|
| Имя макрообъекта | Тысченко_особенности |
| Тип документа | b |
