| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686072868 |
| Дата корректировки | 15:52:53 27 сентября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.09.44882.8534 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Моисеев, К. Д. | |
|
Дельта-легирование соединениями марганца гетероструктур на основе GaAs Электронный ресурс |
|
| Delta-doping of GaAs-based heterostructures by manganese compounds | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 19 назв. |
| Аннотация | Гетероструктуры с квантовыми ямами GaAs/InGaAs/GaAs, легированные пространственно удаленными моноатомными слоями Mn, были получены на подложке GaAs(001) в режиме монослойного наращивания методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Комбинированные исследования полученных образцов были проведены при помощи метода вторичной ионной масс-спектрометрии, рентгено-дифракционных измерений и с использованием просвечивающего электронного микроскопа. Исследуемые гетероструктуры с концентрацией легирующей примеси 0.5 монослоя были упруго напряжены и демонстрировали планарные четкие границы раздела без видимых протяженных и точечных дефектов. Предложена методика визуализации распределения концентрации марганца в трехмерной матрице GaAs вблизи квантовой ямы. Согласно экспериментальным результатам существует вероятность диффузии марганца в квантовую яму GaAs/InGaAs/GaAs при уменьшении критической толщины буферного слоя GaAs менее 3 нм. |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
|
дельта-легирование квантовыми ямы молекулярно-пучковая эпитаксия масс-спектрометрия рентгено-дифракционные измерения марганец арсенид галлия |
|
|
Неведомский, В. Н. Kudriavtsev, Yu. Escobosa-Echavarria, A. Lopez-Lopez, M. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 9. - С. 1189-1195 |
|
| Имя макрообъекта | Моисеев_дельта |
| Тип документа | b |
