| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/685808011 |
| Дата корректировки | 14:29:40 24 сентября 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2018.11.46654.10NN | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Малышева, Е. И. | |
|
Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 8 назв. |
| Аннотация | Сформированы и исследованы спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs, содержащие ферромагнитные слои (Ga,Mn)As. Для повышения рабочей температуры спинового светоизлучающего диода поверхность структур перед нанесением металлических омических контактов подвергалась импульсному лазерному отжигу. Во внешнем магнитном поле сформированные диоды испускают циркулярно- поляризованное электролюминесцентное излучение. Получено повышение температуры регистрации циркулярно-поляризованной люминесценции с 30 K для исходной структуры до 110 K для структуры, подвергнутой лазерному отжигу. Полученный эффект связывается с повышением температуры Кюри (Ga,Mn)As в результате лазерного воздействия. |
| Ключевые слова | спиновые светоизлучающие диоды |
|
гетероструктуры арсенид галлия-индия арсенид галлия рабочая температура отжиг импульсный лазерный отжиг |
|
| Другие авторы | Дорохин, М. В. |
|
Данилов, Ю. А. Парафин, А. Е. Ведь, М. В. Кудрин, А. В. Здоровейщев, А. В. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 60, вып. 11. - С. 2141-2146 |
| Имя макрообъекта | Малышева_повышение |
| Тип документа | b |
