| Индекс УДК | 539.21 |
| Заглавие | Незаполненные электронные состояния и формирование интерфейса между пленками диметил замещенных тиофен-фенилен соолигомеров и поверхностью окисленного кремния |
| Физич. носитель | Электронный ресурс |
| Аннотация | Приведены результаты исследования незаполненных электронных состояний и пограничного потенциального барьера при осаждении сверхтонких пленок диметил замещенных тиофен-фенилен соолигомеров вида СH[3]-фенилен-тиофен-тиофен-фенилен-СH[3] (СH[3]-PTTP-CH[3]) на поверхность окисленного кремния. Измерения электронных характеристик проводились в энергетическом диапазоне от 5 до 20 eV выше уровния Ферми методом спектроскопии полного тока (СПТ). Диагностика структуры поверхности пленок СH[3]-PTTP-СH[3] выполнялась методом атомной силовой микроскопии (AFM) и диагностика их атомного состава - методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS). Проведен анализ изменения интенсивностей максимумов, измеряемых СПТ, исходящих от осаждаемой пленки СH3-PTTP-CH[3] и от подложки, в процессе увеличения толщины органического покрытия до 6 nm. Формирование пограничного потенциального барьера в исследованной структуре n-Si/SiO[2]/СH[3]-PTTP-CH[3] сопровождалось снижением работы выхода поверхности от 4.2 ± 0.1 до 4.0 ± 0.1 eV при увеличении толщины органического покрытия до 3 nm. Соотношение концентраций атомов C : S в исследованных пленках СH[3]-PTTP-CH[3] хорошо соответствует химической формуле молекул СH[3]-PTTP-СH[3]. Шероховатость поверхности покрытия СH[3]-PTTP-СH[3] не превышала 10 nm на участках площадью порядка 10 · 10 мю m при общей толщине слоя СH[3]-PTTP-СH[3] около 100 nm. |
| Ключевые слова | пленки |
| Другие авторы | Лазнева, Э. Ф. |
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 60, вып. 5. - С. 1012-1017 |
| Имя макрообъекта | Комолов_незаполненные электронные состояния |
