| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/683993536 |
| Дата корректировки | 14:46:25 3 сентября 2021 г. |
| Стандартный номер | 10.21883/FTP.2017.09.44888.8528 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Бочкарева, Н. И. | |
|
Прыжковая проводимость и диэлектрическая релаксация в барьерах Шоттки на основе GaN Электронный ресурс |
|
| Hopping conduction and dielectric relaxation in Schottky barriers on GaN | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 30 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты исследования зависимостей тока и емкости от прямого смещения диодов Шоттки Au/n-GaN, а также спектров подзонного оптического поглощения и дефектной фотолюминесценции объемных кристаллов и тонких слоев n-GaN. Показано, что туннелирование с участием дефектов является доминирующим механизмом транспорта при прямых смещениях контактов Шоттки на n-GaN. Зависимости тока и емкости от прямого смещения отражают энергетический спектр дефектов в запрещенной зоне n-GaN: рост с энергией плотности глубоких состояний, ответственных за желтую фотолюминесценцию в GaN, и резкий экспоненциальный хвост состояний с урбаховской энергией EU = 50 мэВ вблизи края зоны проводимости. Уменьшение частоты перескоков электронов вблизи интерфейса Au/n-GaN приводит к широкому распределению локальных времен диэлектрической релаксации и изменению распределения электрического поля в области пространственного заряда при прямых смещениях. |
| Служебное примечание | Бочкарёва, Н. И. |
| Ключевые слова | прыжковая проводимость |
|
диэлектрическая релаксация барьеры Шоттки диоды Шоттки |
|
|
Вороненков, В. В. Горбунов, Р. И. Вирко, М. В. Коготков, В. С. Леонидов, А. А. Воронцов-Вельяминов, П. Н. Шеремет, И. А. Шретер, Ю. Г. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 51, вып. 9. - С. 1202-1212 |
| Имя макрообъекта | Бочкарева_прыжковая |
| Тип документа | b |
