| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/683991075 |
| Дата корректировки | 13:39:04 3 сентября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.09.44879.8557 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Бабичев, А. В. | |
|
Оптические свойства метаморфной гибридной гетероструктуры вертикально излучающего лазера спектрального диапазона 1300нм Электронный ресурс |
|
| Optical properties of metamorphic hybrid 1300 nm spectral band VCSEL heterostucture | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 52 назв. |
| Аннотация | Продемонстрирована возможность формирования гибридных метаморфных гетероструктур вертикально излучающих лазеров (ВИЛ) спектрального диапазона 1300 нм. Метаморфная полупроводниковая часть гетероструктуры с распределенным брэгговским отражателем на основе пары GaAs/AlGaAs и активной областью на основе квантовых ям InAlGaAs/InGaAs выращена методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке GaAs(100). Верхнее диэлектрическое зеркало с распределенным брэгговским отражателем сформировано на основе пары SiO[2]/Ta[2]O[5] методом магнетронного распыления. Проведено изучение спектров микрофотолюминесценции гетероструктур вертикально излучающих лазеров при комнатной температуре в диапазоне мощностей 0-70 мВт. Наличие сверхлинейного хода зависимости интенсивности фотолюминесценции от мощности накачки наряду с заужением полуширины пиков фотолюминесценции и изменением модового состава могут быть обусловлены лазерной генерацией гетероструктуры вертикально излучающих лазеров. Полученные результаты свидетельствуют о возможности использования технологии метаморфного роста гетероструктур на подложках GaAs для создания вертикально излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 нм. |
| Ключевые слова | метаморфные гибридные гетероструктуры |
|
молекулярно-пучковая эпитаксия вертикально излучающие лазеры квантовые ямы магнетронное распыление лазеры спектрального диапазона |
|
|
Крыжановская, Н. В. Моисеев, Э. И. Гладышев, А. Г. Карачинский, Л. Я. Новиков, И. И. Блохин, С. А. Бобров, М. А. Задиранов, Ю. М. Трошков, С. И. Егоров, А. Ю. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 51, вып. 9. - С. 1176-1181 |
| Имя макрообъекта | Бабичев_оптические |
| Тип документа | b |
