| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/683990056 |
| Дата корректировки | 13:25:27 3 сентября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.09.44885.8544 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Астрова, Е. В. | |
|
Особенности процесса спекания макропористого кремния в атмосфере аргона Электронный ресурс |
|
| Characteristic properties of macroporous silicon sintering in argon atmosphere | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 19 назв. |
| Аннотация | Исследованы температурная и временная зависимости процесса спекания макропористого кремния в Ar и Ar + 3%H[2]. Определен вклад различных механизмов, определяющих этот процесс. Особенности спекания макропористого кремния изучались с помощью изохронных и изотермических отжигов на образцах с регулярными и случайными макропорами в диапазоне 1000-1225°С. Установлено, что на спекание макропористого кремния при атмосферном давлении в потоке инертного газа, содержащего 2 · 10{-4}%O[2], существенное влияние оказывает термическое травление. Термическое травление конкурирует с процессами переноса вещества, характерными для спекания, и препятствует формированию на поверхности бездефектной корки. Причиной травления является образование газообразной моноокиси кремния, которая уносится вместе с потоком газа. Эффект травления преобладает в области низких температур и не зависит от добавки водорода. |
| Ключевые слова | макропористый кремний |
|
спекание макропористого кремния аргон инертный газ изотермический отжиг термическое травление газообразная моноокись кремния |
|
|
Преображенский, Н. Е. Павлов, С. И. Воронков, В. Б. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 9. - С. 1213-1222 |
|
| Имя макрообъекта | Астрова_особенности |
| Тип документа | b |
