Поиск

Влияние дефектов на поглощение терагерцового излучения в монокристалле CdSiP[2]

Авторы: Ноздрин, В. С. Чучупал, С. В. Командин, Г. А. Курлов, В. Н. Породинков, О. Е. Спектор, И. Е. Катыба, Г. М. Schunemann, P. G Zawilski, K. T.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/683914770
Дата корректировки 9:23:56 3 сентября 2021 г.
DOI 10.21883/OS.2020.07.49573.27-20
Служба первич. каталог. Феллер
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 535.33
Ноздрин, В. С.
Влияние дефектов на поглощение терагерцового излучения в монокристалле CdSiP[2]
Электронный ресурс
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 25 назв.
Аннотация Выполненные в интервале температур от 80 до 300K методами терагерцовой (ТГц) импульсной и инфракрасной фурье-спектроскопии измерения спектров пропускания и отражения монокристалла CdSiP[2] выявили существенное влияние постростовых дефектов на поглощение в ТГц области частот. Обнаружено, что это поглощение слабо зависит от температуры в отличие от ранее полученных результатов для другого кристалла семейства халькопирита с существенно меньшей концентрацией дефектов. При охлаждении были минимизированы собственные механизмы поглощения и выделен вклад дефектов в поглощение.
Ключевые слова генерация терагерцового излучения
нелинейно-оптические кристаллы
несобственное поглощение
терагерцовое излучение
монокристаллы
Чучупал, С. В.
Командин, Г. А.
Курлов, В. Н.
Породинков, О. Е.
Спектор, И. Е.
Катыба, Г. М.
Schunemann, P. G
Zawilski, K. T.
Оптика и спектроскопия
2020
Т. 128, вып. 7. - С. 998-1003
Имя макрообъекта Ноздрин_влияние
Тип документа b