Влияние дефектов на поглощение терагерцового излучения в монокристалле CdSiP[2] - Статьи - Базы данных - БГТУ

Влияние дефектов на поглощение терагерцового излучения в монокристалле CdSiP[2]

Авторы: Ноздрин, В. С. Чучупал, С. В. Командин, Г. А. Курлов, В. Н. Породинков, О. Е. Спектор, И. Е. Катыба, Г. М. Schunemann, P. G Zawilski, K. T.

Подробная информация

Индекс УДК	535.33
	Влияние дефектов на поглощение терагерцового излучения в монокристалле CdSiP[2] Электронный ресурс
Аннотация	Выполненные в интервале температур от 80 до 300K методами терагерцовой (ТГц) импульсной и инфракрасной фурье-спектроскопии измерения спектров пропускания и отражения монокристалла CdSiP[2] выявили существенное влияние постростовых дефектов на поглощение в ТГц области частот. Обнаружено, что это поглощение слабо зависит от температуры в отличие от ранее полученных результатов для другого кристалла семейства халькопирита с существенно меньшей концентрацией дефектов. При охлаждении были минимизированы собственные механизмы поглощения и выделен вклад дефектов в поглощение.
Ключевые слова	генерация терагерцового излучения
	Оптика и спектроскопия 2020 Т. 128, вып. 7. - С. 998-1003
Имя макрообъекта	Ноздрин_влияние