| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/683217970 |
| Дата корректировки | 15:15:01 25 августа 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2018.03.45565.268 | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Романов, В. В. | |
|
Перестройка спектров электролюминесценции в гетероструктурах II типа n-InAs/n-InAsSbP Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 10 назв. |
| Аннотация | Методом МОГФЭ были получены одиночные гетеросруктуры II типа n{+}-InAs/n{0}-InAs[0.59]Sb[0.16]P[0.25] на основе преднамеренно нелегированного эпитаксиального слоя с электронным типом проводимости. При этом вблизи гетерограницы в объеме четверного твердого раствора был сформирован переходный слой модулированного состава. Было показано существование канала излучательной рекомбинации, обусловленного наличием локализованных дырочных состояний в квантовых ямах, сформированных в переходном слое вблизи гетерограницы. Была продемонстрирована перестройка максимума интенсивности спектра ЭЛ исследуемой гетероструктуры при приложении прямого внешнего смещения. Результаты настоящего исследования могут быть использованы при разработке перестраиваемых светодиодов, работающих в среднем инфракрасном диапазоне 2.4 мю m. |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
|
твердые растворы гетеропереходы изотипный гетеропереход электрические свойства люминесцентные свойства |
|
| Другие авторы | Иванов, Э. В. |
| Моисеевa, К. Д. | |
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 60, вып. 3. - С. 585-590 |
| Имя макрообъекта | Романов_перестройка |
| Тип документа | b |
