| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/681557008 |
| Дата корректировки | 9:27:02 6 августа 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.08.44795.8535 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Лебедев, А. А. | |
|
Воздействие протонного облучения с энергией 8МэВ на гетероэпитаксиальные слои n-3C-SiC Электронный ресурс |
|
| Effects of proton irradiation with the energy of 8MeV heteroepitaxial layers of n-3C-SiC | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 13 назв. |
| Аннотация | Исследовано воздействие протонного облучения с энергией 8МэВ на эпитаксиальные слои n-3C-SiC, выращенные методом сублимации на полуизолирующих подложках 4H-SiC. Изменения параметров образцов регистрировали методом эффекта Холла и по спектрам фотолюминесценции. Метод Холла был применен для раздельной оценки влияния облучения на концентрацию и подвижность носителей заряда. Скорость удаления носителей (V[d]) составила ~ 110 см{-1}. Полная компенсация образцов с исходной концентрацией носителей заряда 6.5 · 10{17} см{-3} наблюдалась при дозах облучения ~ 6 · 10{15} см{-2}. Подвижность носителей заряда при таких дозах облучения уменьшалась всего в 2.5 раза. По сравнению с 4H и 6H карбида кремния не было отмечено значительного увеличения интенсивности так называемой "дефектной" фотолюминесценции. |
| Ключевые слова | протонное облучение |
|
гетероэпитаксиальные слои полуизолирующие подложки эффект Холла фотолюминесценция карбид кремния |
|
|
Бер, Б. Я. Оганесян, Г. А. Белов, С. В. Лебедев, С. П. Никитина, И. П. Середова, Н. В. Шахов, Л. В. Козловский, В. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 8. - С. 1088-1090 |
|
| Имя макрообъекта | Лебедев_воздействие |
| Тип документа | b |
