| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/681399352 |
| Дата корректировки | 13:39:09 4 августа 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.08.44798.8457 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Александров, О. В. | |
| Влияние ловушек в диоксиде кремния на пробой МОП-структур | |
| Influence of traps in silcon dioxide on MOS-structure breakdown | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 20 назв. |
| Аннотация | Разработана модель численного расчета напряжения и времени задержки пробоя МОП-структур на основе механизма анодной дырочной инжекции, учитывающая распределение дырочных и электронных ловушек по толщине диэлектрика. Показано, что напряжение пробоя определяется накоплением заряда на дырочных ловушках в подзатворном диэлектрике вблизи катода, но зависит также от наличия дырочных ловушек вблизи анода и электронных ловушек. Время задержки пробоя в широком диапазоне напряженностей поля подчиняется экспоненциальной 1/E зависимости и удовлетворительно описывает экспериментальные данные. При малых длительностях воздействия (t < 10{-5} c) пробой определяется накоплением заряда на свободных дырках. |
| Ключевые слова | диоксид кремния |
|
МОП-структуры электронные ловушки дырочные ловушки диэлектрическая прочность |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 8. - С. 1105-1109 |
|
| Имя макрообъекта | Александров_влияние |
| Тип документа | b |
