| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/681390013 |
| Дата корректировки | 11:32:07 4 августа 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2019.11.48403.517 | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Мустафаева, С. Н. | |
|
Влияние химического состава кристаллов TlIn[1-x]Er[x]S[2] (0 < или = х < или = 0.01) на их диэлектрические характеристики и параметры локализованных состояний Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 25 назв. |
| Аннотация | В полученных кристаллах TlIn[1-x]Er[x]S[2] (0 < или = х < или = 0.01) изучены частотные зависимости действительной (эпсилон') и мнимой (эпсилон'') составляющих комплексной диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь (tg дельта) и ac-проводимости (сигма[ac]) в области частот f = 5 · 10{4}-3.5 · 10{7} Hz. Установлено, что в TlIn[1-x]Er[x]S[2] имеет место релаксационная дисперсия эпсилон' и эпсилон''. Изучено влияние концентрации эрбия (Er) в кристаллах TlIn[1-x] Er[x]S[2] на их диэлектрические коэффициенты. В области высоких частот ac-проводимость кристаллов TlIn[1-x] Er[x]S[2] подчинялась закономерности сигма[ac] ~ f{0.8}, характерной для прыжкового механизма переноса заряда по локализованным вблизи уровня Ферми состояниям. Оценены параметры локализованных в запрещенной зоне TlIn[1-x] Er[x]S[2] состояний, а также влияние химического состава кристаллов на эти параметры. |
| Ключевые слова | кристаллы |
|
слоистые кристаллы химический состав электрические свойства диэлектрические свойства перенос заряда локализованные состояния частотная дисперсия |
|
| Другие авторы | Асадов, М. М. |
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2019 |
| Прочая информация | Т. 61, вып. 11. - С. 2030-2035 |
| Имя макрообъекта | Мустафаева_влияние |
| Тип документа | b |
