-
Диэлектрические характеристики монокристаллов TlGaS[2], допированных Со и Yb
Гуртовой, В. Г., Шелег, А. У., Мустафаева, С. Н., Керимова, Э. М.
ил.
// Весці Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі. Серыя фізіка-матэматычных навук .-
2015 .-
№ 2. - С. 98-102 .-
-
Диэлектрические свойства и электропроводность легированного серебром монокристалла TlGaS[2]
Мустафаева, С. Н., Асадов, С. М., Керимова, Э. М.
Диэлектрические свойства и электропроводность легированного серебром монокристалла TlGaS[2], [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 2. - С. 167-170
Мустафаева_диэлектрические
-
Кристаллографические и магнитные характеристики твердых растворов системы Ti(InS[2])[1-x](FeSe[2])[x]
Шелег, А. У., Чумак, В. А., Гуртовой, В. Г., Лобановский, Л. С., Мустафаева, С. Н., Керимова, Э. М.
Кристаллографические и магнитные характеристики твердых растворов системы Ti(InS[2])[1-x](FeSe[2])[x], [Текст]
ил.
Весці Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі. Серыя фізіка-матэматычных навук, 2013, № 4. - С. 38-42
-
Зависимость свойств монокристалла AgGaS[2] от параметров ионизирующего излучения
Асадов, С. М., Мустафаева, С. Н., Келбалиев, К. И.
Зависимость свойств монокристалла AgGaS[2] от параметров ионизирующего излучения, С. М. Асадов, С. Н. Мустафаева, К. И. Келбалиев
6 рис., 2 табл.
// Неорганические материалы .-
2022 .-
Т. 58, № 2. - С. 119-124 .-
-
Влияние химического состава кристаллов TlIn[1-x]Er[x]S[2] (0 < или = х < или = 0.01) на их диэлектрические характеристики и параметры локализованных состояний
Мустафаева, С. Н., Асадов, М. М.
Влияние химического состава кристаллов TlIn[1-x]Er[x]S[2] (0 < или = х < или = 0.01) на их диэлектрические характеристики и параметры локализованных состояний, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2019 .-
Т. 61, вып. 11. - С. 2030-2035 .-
Мустафаева_влияние
-
Электропроводность и диэлектрические характеристики твердых растворов Tl(GaS[2])[1-x](InSe[2])[x]
Гуртовой, В. Г., Шелег, А. У., Мустафаева, С. Н., Керимова, Э. М., Джафарова, С. Г.
Электропроводность и диэлектрические характеристики твердых растворов Tl(GaS[2])[1-x](InSe[2])[x], [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2017 .-
Т. 59, вып. 8. - С. 1479-1483 .-
Гуртовой_электропроводность
-
Релаксация тока в монокристаллах TlGa[1-x]Dy[x]Se[2] (x = 0.01; 0.03)
Мустафаева, С. Н., Гусейнова, К. М., Асадов, М. М.
Релаксация тока в монокристаллах TlGa[1-x]Dy[x]Se[2] (x = 0.01; 0.03), [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2020 .-
Т. 62, вып. 7. - С. 1022-1027 .-
Мустафаева_релаксация
-
Механизм переноса заряда в TlSb[1-x]Ga[x]S[2] (x=0, 0.03) на переменном токе
Асадов, С. М., Мустафаева, С. Н.
Механизм переноса заряда в TlSb[1-x]Ga[x]S[2] (x=0, 0.03) на переменном токе, [[Текст]], С. М. Асадов, С. Н. Мустафаева
5 рис.
// Неорганические материалы .-
2017 .-
Т. 53, № 12. - С. 1257-1261 .-
-
Низкотемпературная проводимость сульфидов гадолиния
Мустафаева, С. Н., Асадов, С. М.
Низкотемпературная проводимость сульфидов гадолиния, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 9. - С. 1159-1162
Мустафаева_низкотемпературная
-
Прыжковая термо-ЭДС в TlCrS[2]
Мустафаева, С. Н., Асадов, С. М., Джаббаров, А. И.
Прыжковая термо-ЭДС в TlCrS[2], С. Н. Мустафаева, С. М. Асадов, А. И. Джаббаров
4 рис.
// Неорганические материалы .-
2020 .-
Т. 56, № 4. - С. 351-355 .-
-
Влияние электронного облучения на диэлектрические коэффициенты сульфида галлия
Мустафаева, С. Н., Асадов, М. Н., Исмаилов, А. А.
Влияние электронного облучения на диэлектрические коэффициенты сульфида галлия, [Текст]
Энциклопедия инженера-химика, 2011, № 3. - С. 9-12
-
Структурные и диэлектрические характеристики кристаллов TlInSe[2], допированных эрбием
Шелег, А. У., Гуртовой, В. Г., Мустафаева, С. Н., Керимова, Э. М.
Структурные и диэлектрические характеристики кристаллов TlInSe[2], допированных эрбием, [Текст]
ил.
Веснік Гродзенскага дзяржаўнага ўніверсітэта імя Янкі Купалы. Сер. 2, Матэматыка. Фізіка. Інфарматыка, вылічальная тэхніка і кіраванне, 2017, Т. 7, № 1. - С. 115-121
-
Диэлектрические потери и перенос заряда в легированном сурьмой монокристалле TlGaS[2]
Асадов, С. М., Мустафаева, С. Н.
Диэлектрические потери и перенос заряда в легированном сурьмой монокристалле TlGaS[2], [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2018 .-
Т. 60, вып. 3. - С. 495-498 .-
Асадов_диэлектрические
-
Ab initio расчеты электронных свойств и явления переноса в графеновых материалах
Асадов, М. М., Мустафаева, С. Н., Гусейнова, С. С., Лукичев, В. Ф.
Ab initio расчеты электронных свойств и явления переноса в графеновых материалах, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2020 .-
Т. 62, вып. 11. - С. 1975-1981 .-
Асадов_ab initio
-
Оптические свойства монокристаллов дисульфида таллия и индия TlInS[2]
Короткий, А. В., Шелег, А. У., Шевцова, В. В., Мудрый, А. В., Мустафаева, С. Н., Керимова, Э. М.
Оптические свойства монокристаллов дисульфида таллия и индия TlInS[2], [Текст]
Журнал прикладной спектроскопии, 2012, № 3. - С. 418-423