| Индекс УДК |
544.34 537.2 |
|
Механизм переноса заряда в TlSb[1-x]Ga[x]S[2] (x=0, 0.03) на переменном токе [Текст] С. М. Асадов, С. Н. Мустафаева |
|
| Аннотация | Изучены диэлектрические свойства и ас-проводимость монокристаллов TlSb[1-x]Ga[x]S[2] (x = 0, 0. 03) в области частот 5 · 10{4}-3. 5 · 10{7} Гц. Экспериментальные результаты по изучению частотной дисперсии диэлектрических коэффициентов и проводимости монокристаллов TlSb[1-x]Ga[x]S[2] (x = 0, 0. 03) позволили установить природу диэлектрических потерь, механизм переноса заряда и оценить параметры локализованных в запрещенной зоне состояний. Внедрение атомов галлия в кристаллическую решетку кристалла TlSbS[2] приводило к увеличению плотности состояний вблизи уровня Ферми, среднего времени и расстояния прыжков. |
| Название источника | Неорганические материалы |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 53, № 12. - С. 1257-1261 |
