| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/681318900 |
| Дата корректировки | 15:19:58 3 августа 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.07.44643.29 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Ордин, С. В. | |
|
Локальные термоэлектрические эффекты в широкозонных полупроводниках Электронный ресурс |
|
| Local thermoelectric effects in wide-gap semiconductors | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
| Аннотация | Получено экспериментальное подтверждение возникновения в структурах на базе широкозонных полупроводников локальных термоэдс, обнаруженных ранее на кремниевых p-n-переходах. Были исследованы вольт-амперные и частотные характеристики асимметричного потенциального барьера на границе GaN/Mg и p-i-n-структуры на базе GaAs. Показано, что вклад локальных термоэдс и в широкозонных полупроводниках определяет как особенности вольт-амперных характеристик, так и особенности частотных вольт-ваттных характеристик, в частности гауссов резонанс. При учете и использовании локальных термоэдс возможно как кардинальное повышение кпд термоэлектрического преобразования, так и улучшение рабочих параметров элементов микроэлектроники. |
| Ключевые слова | широкозонные полупроводники |
|
полупроводники термоэлектрические эффекты локальные термоэдс кремниевые p-n-переходы гетероструктуры |
|
|
Жиляев, Ю. В. Зеленин, В. В. Пантелеев, В. Н. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 7. - С. 921-924 |
|
| Имя макрообъекта | Ордин_локальные |
| Тип документа | b |
