| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Локальные термоэлектрические эффекты в широкозонных полупроводниках Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Получено экспериментальное подтверждение возникновения в структурах на базе широкозонных полупроводников локальных термоэдс, обнаруженных ранее на кремниевых p-n-переходах. Были исследованы вольт-амперные и частотные характеристики асимметричного потенциального барьера на границе GaN/Mg и p-i-n-структуры на базе GaAs. Показано, что вклад локальных термоэдс и в широкозонных полупроводниках определяет как особенности вольт-амперных характеристик, так и особенности частотных вольт-ваттных характеристик, в частности гауссов резонанс. При учете и использовании локальных термоэдс возможно как кардинальное повышение кпд термоэлектрического преобразования, так и улучшение рабочих параметров элементов микроэлектроники. |
| Ключевые слова | широкозонные полупроводники |
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 7. - С. 921-924 |
|
| Имя макрообъекта | Ордин_локальные |
