| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/680614207 |
| Дата корректировки | 11:32:02 26 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.07.44630.16 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Вейс, А. Н. | |
|
Структура зоны проводимости теллурида висмута по данным оптического поглощения Электронный ресурс |
|
| Conduction band structure of bismuth telluride according to the optical absorption | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 9 назв. |
| Аннотация | Проведены исследования спектральных зависимостей коэффициента оптического поглощения n-Bi[2]Te[3] в диапазоне 40-300 мэВ в зависимости от концентрации электронов и толщины образцов при комнатной температуре с целью определения параметров дополнительной подзоны в зоне проводимости теллурида висмута и ее возможного влияния на транспорт носителей заряда. Показано, что теллурид висмута является прямозонным полупроводником с дополнительной подзоной в зоне проводимости. Эти данные согласуются с исследованиями квантовых осцилляций в n-Bi[2]Te[3] всильны х магнитных полях при температурах ниже 20 K. |
|
теллурид висмута оптическое поглощение спектральные зависимости прямозонные полупроводники полупроводники квантовые осцилляции |
|
|
Лукьянова, Л. Н. Кутасов, В. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 7. - С. 873-876 |
|
| Имя макрообъекта | Вейс_структура |
| Тип документа | b |
