-
Морфология поверхности и рамановская спектроскопия тонких слоев халькогенидов висмута и сурьмы
Лукьянова, Л. Н., Бибик, А. Ю. , Асеев, В. А., Усов, О. А., Макаренко, И. В., Петров, В. Н., Никоноров, Н. В., Кутасов, В. А.
Морфология поверхности и рамановская спектроскопия тонких слоев халькогенидов висмута и сурьмы, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2016 .-
Т. 58, вып. 7. - С. 1390-1397 .-
Лукьянова_морфология
-
Транспортные свойства гетероэпитаксиальных пленок на основе теллурида висмута в сильных магнитных полях
Лукьянова, Л. Н., Бойков, Ю. А., Усов, О. А., Данилов, В. А., Волков, М. П.
Транспортные свойства гетероэпитаксиальных пленок на основе теллурида висмута в сильных магнитных полях, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 7. - С. 880-883
Лукьянова_транспортные
-
Морфология межслоевой поверхности и микро-рамановские спектры в слоистых пленках топологических изоляторов на основе теллурида висмута
Лукьянова, Л. Н., Бибик, А. Ю. , Асеев, В. А., Усов, О. А., Макаренко, И. В., Петров, В. Н., Никоноров, Н. В.
Морфология межслоевой поверхности и микро-рамановские спектры в слоистых пленках топологических изоляторов на основе теллурида висмута, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 6. - С. 792-797
Лукьянова_морфология
-
Эффективная масса плотности состояний и подвижность носителей заряда в гетероэпитаксиальных пленках теллурида висмута и твердых растворах Bi[0.5]Sb[1.5]Te[3]
Лукьянова, Л. Н., Бойков, Ю. А., Усов, О. А., Данилов, В. А.
Эффективная масса плотности состояний и подвижность носителей заряда в гетероэпитаксиальных пленках теллурида висмута и твердых растворах Bi[0.5]Sb[1.5]Te[3], [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 6. - С. 726-728
Лукьянова_эффективная
-
Структура зоны проводимости теллурида висмута по данным оптического поглощения
Вейс, А. Н., Лукьянова, Л. Н., Кутасов, В. А.
Структура зоны проводимости теллурида висмута по данным оптического поглощения, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 7. - С. 873-876
Вейс_структура