| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/680281831 |
| Дата корректировки | 15:14:47 22 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.06.44547.06 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Орехов, А. С. | |
|
Структура термоэлектрических пленок высшего силицида марганца на кремнии по данными электронной микроскопии Электронный ресурс |
|
| Structure of the thermoelectric films of higher manganese silicide on silicon by electron microcopy | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 15 назв. |
| Аннотация | Проведен сравнительный анализ структурных особенностей пленок высшего силицида марганца, выращенных методом диффузионного легирования монокристаллических подложек кремния парами марганца в запаянной ампуле и проточном кварцевом реакторе при постоянной откачке. Методами растровой электронно-ионной микроскопии и высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии показано, что в откаченной ампуле формируется однофазная текстурированная пленка высшего силицида марганца. Изменение условий роста со стационарных (ампула) на квазистационарные (реактор) приводит к формированию поликристаллических островков высшего силицида марганца с наноразмерными включениями фазы моносилицида марганца. |
| Ключевые слова | термоэлектрические пленки |
|
силицид марганца кремний электронная микроскопия монокристаллические подложки электронно-ионная микроскопия |
|
|
Камилов, Т. С. Ибрагимова, Б. В. Ивакин, Г. И. Клечковская, В. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 6. - С. 740-743 |
|
| Имя макрообъекта | Орехов_структура |
| Тип документа | b |
