| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/680267870 |
| Дата корректировки | 11:23:18 22 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.06.44556.8460 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Кожемяко, А. В. | |
|
Изучение профиля распределения железа, имплантированного в кремний Электронный ресурс |
|
| The study of implanted in silicon iron distribution profile | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 26 назв. |
| Аннотация | Проведена имплантация ионов железа с энергиями 90, 250 кэВ и дозой облучения 10{16} см{-2} в монокристалл кремния с ориентацией (110). Методом резерфордовского обратного рассеяния в сочетании с каналированием изучены профили распределения внедренной примеси, а также профили распределения радиационных дефектов в кристаллической решетке. Экспериментальные результаты сравниваются с результатами моделирования в программе TRIM. Показано, что при энергии 4.6 кэВ/нуклон средние проективные пробеги совпадают, однако при энергии 1.6 кэВ/нуклон различие составляет 35%. Кроме того показано, что расчет некорректно учитывает дозовую зависимость при энергиях 1.6-4.6 кэВ/нуклон. |
| Ключевые слова | имплантация ионов железа |
|
ионная имплантация ионы железа железо монокристаллы кремния кремний полупроводниковые структуры полупроводники |
|
|
Балакшин, Ю. В. Шемухин, А. А. Черныш, В. С. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 6. - С. 778-782 |
|
| Имя макрообъекта | Кожемяко_изучение |
| Тип документа | b |
