| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Изучение профиля распределения железа, имплантированного в кремний Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Проведена имплантация ионов железа с энергиями 90, 250 кэВ и дозой облучения 10{16} см{-2} в монокристалл кремния с ориентацией (110). Методом резерфордовского обратного рассеяния в сочетании с каналированием изучены профили распределения внедренной примеси, а также профили распределения радиационных дефектов в кристаллической решетке. Экспериментальные результаты сравниваются с результатами моделирования в программе TRIM. Показано, что при энергии 4.6 кэВ/нуклон средние проективные пробеги совпадают, однако при энергии 1.6 кэВ/нуклон различие составляет 35%. Кроме того показано, что расчет некорректно учитывает дозовую зависимость при энергиях 1.6-4.6 кэВ/нуклон. |
| Ключевые слова | имплантация ионов железа |
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 6. - С. 778-782 |
|
| Имя макрообъекта | Кожемяко_изучение |
