| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/680261517 |
| Дата корректировки | 9:42:16 22 июля 2021 г. |
| Стандартный номер | 10.21883/FTP.2017.06.44568.8444 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Автор | Кириенко, Д. А. |
| Заглавие | Отделение тонких пленок ITO от кремниевой подложки с помощью микросекундного лазерного облучения |
| Физич. носитель | Электронный ресурс |
| Другая форма заглавия | Microsecond pulse laser induced ITO thin film spallation from silicon substrate |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 33 назв. |
| Аннотация | Представлено исследование метода отделения тонких пленок ITO (indium-tin oxide) от кремниевой подложки с помощью импульсного лазерного облучения. Метод предоставляет возможность отделения пленок с толщинами от 360 нм без их разрушения. Процесс отделения заключается в последовательной обработке поверхности одиночными лазерными импульсами микросекундной длительности на длине волны 650 нм. Пленки, полученные методом высокочастотного магнетронного распыления, после отделения от кремниевой подложки обладают пропусканием более 65% в видимом диапазоне и поверхностным сопротивлением ~ 1.2 кОм/. Проведена оценка термонапряжений, возникающих в тонких пленках ITO и приводящих к ее отслаиванию. |
| Ключевые слова | тонкие пленки |
|
кремниевые подложки микросекундное лазерное облучение импульсное лазерное облучение оксид индия лазерное облучение полупроводники |
|
| Другие авторы | Березина, О. Я. |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 51, вып. 6. - С. 855-859 |
| Имя макрообъекта | Кириенко_отделение |
| Тип документа | b |
