Поиск

Отделение тонких пленок ITO от кремниевой подложки с помощью микросекундного лазерного облучения

Авторы: Кириенко, Д. А. Березина, О. Я.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Автор Кириенко, Д. А.
Заглавие Отделение тонких пленок ITO от кремниевой подложки с помощью микросекундного лазерного облучения
Физич. носитель Электронный ресурс
Аннотация Представлено исследование метода отделения тонких пленок ITO (indium-tin oxide) от кремниевой подложки с помощью импульсного лазерного облучения. Метод предоставляет возможность отделения пленок с толщинами от 360 нм без их разрушения. Процесс отделения заключается в последовательной обработке поверхности одиночными лазерными импульсами микросекундной длительности на длине волны 650 нм. Пленки, полученные методом высокочастотного магнетронного распыления, после отделения от кремниевой подложки обладают пропусканием более 65% в видимом диапазоне и поверхностным сопротивлением ~ 1.2 кОм/. Проведена оценка термонапряжений, возникающих в тонких пленках ITO и приводящих к ее отслаиванию.
Ключевые слова тонкие пленки
Другие авторы Березина, О. Я.
Название источника Физика и техника полупроводников
Место и дата издания 2017
Прочая информация Т. 51, вып. 6. - С. 855-859
Имя макрообъекта Кириенко_отделение