| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/680101875 |
| Дата корректировки | 13:16:22 20 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.05.44411.8437 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Мездрогина, М. М. | |
|
Параметры пленок ZnO с дырочным типом проводимости, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления Электронный ресурс |
|
| ZnO films with p-type conductivity, deposited by high frequency magnetron sputtering | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 15 назв. |
| Аннотация | Уменьшение концентрации дефектов в пленках ZnO, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления, дает возможность эффективного легирования акцепторными примесями как в катионной (Li), так и анионной подрешетках (N{+}) и получение дырочного типа проводимости с воспроизводимыми параметрами (концентрации, подвижности) носителей заряда. Легирование азотом производилось с помощью отжига пленок ZnO в атмосфере высокочастотного газового разряда. В результате измерений с помощью эффекта Холла (методика Ван-дер-Пау) показано, что использование тонких слоев Eu, нанесенных на поверхность ZnO-пленок, приводит к увеличению концентрации и подвижности основных носителей заряда. Введение металлических примесей, отличающихся по размерам ионных радиусов (Ag, Au), в катионную подрешетку пленок ZnO с целью компенсации напряжений несоответствия дает возможность увеличения концентрации центров излучательной рекомбинации. |
| Ключевые слова | пленки ZnO |
|
легирование пленок высокочастотное магнетронное распыление прямозонные широкозонные полупроводники полупроводники эффект Холла оксид цинка |
|
|
Виноградов, А. Я. Левицкий, В. С. Терукова, Е. И. Кожанова, Ю. В. Агликов, А. С. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 5. - С. 588-593 |
|
| Имя макрообъекта | Мездрогина_параметры |
| Тип документа | b |
