| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/680010287 |
| Дата корректировки | 11:48:57 19 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.05.44420.8432 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Захарьин, А. О. | |
|
Инжекционная терагерцовая электролюминесценция кремниевых p-n-структур Электронный ресурс |
|
| Injection terahertz electroluminescence of silicon p-n-structures | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 21 назв. |
| Аннотация | В кремниевых p{+}-n-структурах обнаружена инжекционная электролюминесценция в терагерцовом диапазоне при гелиевых температурах. Исследовались структуры, созданные диффузией бора в легированный фосфором n-кремний. В спектрах терагерцового излучения на фоне широкого плавного фона наблюдаются сравнительно узкие линии люминесценции. Спектральное положение ряда линий соответствует оптическим переходам в донорах фосфора. Внутрицентровые переходы электронов в донорах фосфора возбуждаются в результате рекомбинационных процессов, происходящих в n-области структуры при инжекции неравновесных дырок. Ряд других линий в спектрах терагерцового излучения связан с внутрицентровыми переходами в акцепторных центрах, которые также возбуждаются в результате инжекции. Бесструктурный фон в спектрах электролюминесценции может быть связан с излучением при внутризонной энергетической релаксации ”горячих“ носителей заряда, с эффективной температурой, превышающей температуру решетки, которые появляются в структуре в условиях инжекции. |
|
инжекционная электролюминесценция кремниевые p-n-структуры терагерцовое излучение электромагнитное излучение бор фосфор |
|
|
Васильев, Ю. Б. Соболев, Н. А. Забродский, В. В. Егоров, С. В. Андрианов, А. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 5. - С. 632-636 |
|
| Имя макрообъекта | Захарьин_инжекционная |
| Тип документа | b |
