| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/679675449 |
| Дата корректировки | 14:48:25 15 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.05.44423.8458 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Гращенко, А. С. | |
|
Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния-кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния Электронный ресурс |
|
| Photoelectric characteristics of silicon carbide-silicon structures grown by the method of atoms substitution in the silicon crystal lattice | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 12 назв. |
| Аннотация | Представлены данные экспериментальных исследований фотоэлектрических характеристик структур кремний-карбид кремния, выращенных методом замещения атомов на подложках кремния ориентаций (100) и (111). Установлено, что максимальная эффективность преобразования солнечного света для гетероперехода кремний-карбид кремния (карбид кремния-кремний) составила 5.4%. С использованием теории образования дилатационных диполей при синтезе методом замещения атомов объяснен механизм формирования электрического барьера на границе раздела кремний-карбид кремния. |
| Ключевые слова | карбид кремния-кремний |
|
кремний-карбид кремния замещение атомов кристаллические решетки фотоэлектрические характеристики полупроводниковые гетероструктуры светодиоды полупроводниковые лазеры |
|
|
Феоктистов, Н. А. Осипов, А. В. Калинина, Е. В. Кукушкин, С. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 5. - С. 651-658 |
|
| Имя макрообъекта | Гращенко_фотоэлектрические |
| Тип документа | b |
