| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/679661021 |
| Дата корректировки | 10:55:29 15 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.04.44353.8420 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Филатов, Д. О. | |
|
Исследование пространственного распределения фототока в плоскости Si-p-n-фотодиода с наноостровками GeSi методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии Электронный ресурс |
|
| Investigation of photocurrent spatial distribution in the plane of Si p-n junction with GeSi nanoislands by scanning near-field optical microscopy | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 19 назв. |
| Аннотация | Методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии исследовано пространственное распределение фототока в плоскости p{+}-n-перехода на базе Si cо встроенными самоформирующимися наноостровками Ge[x] Si[1-x] при локальном фотовозбуждении зондом микроскопа на длине волны излучения 1310 нм, большей красной границы собственной фоточувствительности Si. На изображениях фототока (картах пространственного распределения фототока в плоскости фотоприемного окна p{+}-n-фотодиода) обнаружены неоднородности, связанные с межзонным оптическим поглощением в наноостровках GeSi. Результаты работы показывают возможность визуализации индивидуальных наноостровков GeSi на изображениях фототока с пространственным разрешением ~ 100 нм. |
| Ключевые слова | фототоки |
|
фотодиоды сканирующая ближнепольная оптическая микроскопия оптическая микроскопия наноостровки квантовые точки оптическое поглощение |
|
|
Казанцева, И. А. Шенгуров, В. Г. Чалков, В. Ю. Денисов, С. А. Горшков, А. П. Мишкин, В. П. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 4. - С. 563-568 |
|
| Имя макрообъекта | Филатов_исследование |
| Тип документа | b |
