| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/679659240 |
| Дата корректировки | 10:19:18 15 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.04.44336.8418 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Слаповский, Д. Н. | |
|
Сплавные омические контакты на основе Si/Al к нитридным гетеросистемам AlGaN/GaN Электронный ресурс |
|
| Alloyed Si/Al-based ohmic contacts to nitride AlGaN/GaN heterostructures | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 18 назв. |
| Аннотация | Впервые в России исследована сплавная контактная композиция Si/Al/Ti/Au для формирования омических контактов к гетероструктурам AlGaN/GaN с использованием температурного отжига. Проведено сравнение полученных результатов с традиционными омическими контактами Ti/Al/Ni/Au. Использование исследуемой композиции позволило снизить температуру отжига до 675-700°C, что привело к улучшению морфологии сплавных омических контактов по сравнению с традиционными. Были получены зависимости значения контактного сопротивления с использованием композиции на основе Si/Al к гетероструктуре AlGaN/GaN от температуры и длительности температурного отжига. Показано, что в диапазоне температур 700-750°C качественного изменения сопротивления не происходит при длительности отжига несколько минут. В диапазоне температур 675-700°C идет асимптотическое уменьшение удельного контактного сопротивления при увеличении длительности отжига. Минимальное значение удельного контактного сопротивления составило 0.41 Ом · мм. |
| Ключевые слова | нитридные гетеросистемы |
|
сплавные омические контакты омические контакты гетероструктуры контактное сопротивление |
|
|
Павлов, А. Ю. Павлов, В. Ю. Клековкин, А. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 4. - С. 461-466 |
|
| Имя макрообъекта | Слаповский_сплавные |
| Тип документа | b |
