| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/679069785 |
| Дата корректировки | 14:35:03 8 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.03.44212.8220 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Алиев, Р. А. | |
|
Особенности вольт-фарадных характеристик МДП-структуры Cu-SiO[2]-p-InSb Электронный ресурс |
|
| The effect of oxide charge states on the capacitance-voltage characteristics of the MOS structure of Cu-SiO[2]-p-InSb | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 12 назв. |
| Аннотация | Измерены вольт-фарадные характеристики и проводимость МДП-структур на основе InSb при разных частотах измерительного сигнала с целью изучения влияния условий технологического синтеза на емкостные свойства данных структур. Обсуждается влияние положительного, встроенного в диэлектрик, заряда на измеренные характеристики образца, которое проявляется в виде резкого "переключения" емкости при смене полярности слабополевого внешнего воздействия (E < 10{6} В/см). |
| Ключевые слова | МДП-структуры |
|
антимонид индия полупроводники вольт-фарадные характеристики магнетронное распыление |
|
|
Гаджиев, Г. М. Гаджиалиев, М. М. Исмаилов, А. М. Пирмагомедов, З. Ш. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 3. - С. 383-385 |
|
| Имя макрообъекта | Алиев_особенности |
| Тип документа | b |
