| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Особенности вольт-фарадных характеристик МДП-структуры Cu-SiO[2]-p-InSb Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Измерены вольт-фарадные характеристики и проводимость МДП-структур на основе InSb при разных частотах измерительного сигнала с целью изучения влияния условий технологического синтеза на емкостные свойства данных структур. Обсуждается влияние положительного, встроенного в диэлектрик, заряда на измеренные характеристики образца, которое проявляется в виде резкого "переключения" емкости при смене полярности слабополевого внешнего воздействия (E < 10{6} В/см). |
| Ключевые слова | МДП-структуры |
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 3. - С. 383-385 |
|
| Имя макрообъекта | Алиев_особенности |
