| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/678987289 |
| Дата корректировки | 16:01:56 7 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.02.44112.8251 | |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Прудаев, И. А. | |
|
Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN Электронный ресурс |
|
| The influence of ballistic overflow on temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 34 назв. |
| Аннотация | В работе исследованы зависимости квантового выхода от температуры и уровня возбуждения для светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN. Эксперимент проводился для двух режимов возбуждения люминесценции. Сравнение результатов, полученных при фото- и электролюминесценции, показало, что в области высокой плотности тока наблюдаются дополнительные низкотемпературные потери (дополнительные к потерям, связанным с оже-рекомбинацией). Это обусловливает инверсию температурной зависимости квантового выхода при температурах меньше 220-300K. В результате анализа установлено, что потери связаны с утечкой электронов из активной области светодиода. Для объяснения экспериментальных данных привлечена модель баллистической утечки. Результаты моделирования качественно согласуются с экспериментальными зависимостями квантового выхода от температуры и плотности тока. |
| Копьёв, В. В. | |
| Ключевые слова | баллистическая утечка |
|
светодиоды множественные квантовые ямы квантовые ямы фотолюминесценция электролюминесценция |
|
|
Копьев, В. В. Романов, И. С. Олейник, В. Л. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 2. - С. 240-246 |
|
| Имя макрообъекта | Прудаев_влияние |
| Тип документа | b |
