-
Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN
Прудаев, И. А., Копьёв, В. В., Копьев, В. В., Романов, И. С., Олейник, В. Л.
Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 2. - С. 240-246
Прудаев_влияние
-
Механизм проводимости пленок оксида титана и структур металл-TiO[2]-Si
Калыгина, В. М., Егорова, И. М., Прудаев, И. А., Толбанов, О. П.
Механизм проводимости пленок оксида титана и структур металл-TiO[2]-Si
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 8. - С. 1036-1040 .-
Калыгина_механизм
-
Распад перенасыщенного твердого раствора железа в GaAs
Прудаев, И. А., Хлудков, С. С., Гутаковский, А. К., Новиков, В. А., Толбанов, О. П., Ивонин, И. В.
Распад перенасыщенного твердого раствора железа в GaAs, [Текст]
ил.
Неорганические материалы, 2012, Т. 48, № 2. - С. 133-135
-
Связь структурно-фазовых изменений в пленках оксида титана с электрическими и фотоэлектрическими характеристиками структур TiO[2]-Si
Калыгина, В. М., Егорова, И. М., Новиков, В. А., Прудаев, И. А., Толбанов, О. П.
Связь структурно-фазовых изменений в пленках оксида титана с электрическими и фотоэлектрическими характеристиками структур TiO[2]-Si, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 9. - С. 1178-1184
Калыгина_связь
