| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/678389998 |
| Дата корректировки | 17:45:42 30 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.01.44001.8355 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Мусалинов, С. Б. | |
|
Влияние двух- и трехслойных просветляющих покрытий на формирование фототоков в многопереходных солнечных элементах на основе A{III}B{V} Электронный ресурс |
|
| Influence of double-layer and triple-layer anti-reflection coatings on formation of the photocurrents in multi-junction AIIIBV solar cells | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 8 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты моделирования методом матриц переноса двухслойного, TiO[2]/SiO[2], и трехслойного, TiO[2]/Si[3]N[4]/SiO[2], просветляющих покрытий для многопереходных гетероструктурных солнечных элементов InGaP/GaAs/Ge. Экспериментально получено и оптимизировано двухслойное просветляющее покрытие TiO[2]/SiO[2]. С использованием экспериментальных спектральных зависимостей квантового выхода фотоответа солнечного элемента InGaP/GaAs/Ge и оптических характеристик просветляющих покрытий, полученных при моделировании, определены значения плотностей фототоков отдельных каскадов трехпереходного солнечного элемента для условий облучения AM1.5D (1000 Вт/м{2}), а также для случая отсутствия потерь на отражение. В рамках моделирования показано, что оптимизированное трехслойное просветляющее покрытие TiO[2]/Si[3]N[4]/SiO[2] дает выигрыш в величине плотности фототока на 2.3 мА/см{2} (AM1.5D) для Ge-субэлемента по сравнению с рассматриваемым вариантом двухслойного просветляющего покрытия TiO[2]/SiO[2], обеспечивая тем самым рост коэффициента заполнения вольт-амперной характеристики и выходной электрической мощности многопереходного солнечного элемента. |
| Ключевые слова | многопереходные солнечные элементы |
|
фототоки гетероструктуры электромагнитные волны магнетронное распыление |
|
|
Анзулевич, А. П. Бычков, И. В. Гудовских, А. С. Шварц, М. З. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 1. - С. 89-93 |
|
| Имя макрообъекта | Мусалинов_влияние |
| Тип документа | b |
