| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/678275682 |
| Дата корректировки | 10:02:15 29 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.01.43998.8223 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Булярский, С. В. | |
|
Оптимизация параметров источников питания, возбуждаемых бета-излучением Электронный ресурс |
|
| Optimization of parameters of power sources excited by the beta-radiation | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты экспериментальных исследований и расчетов эффективности преобразования энергии источников бета-излучения Ni-63 в электрическую с помощью кремниевых p-i-n-диодов. Все вычисления выполнены с учетом распределения бета-электронов по энергиям. Получено выражение для напряжения холостого хода преобразователя с учетом распределения электронов высоких энергий в области пространственного заряда p-i-n-диода. Показаны пути оптимизации параметров преобразователя за счет совершенствования технологии изготовления диодов, оптимизации толщины активного слоя излучателя и i-области полупроводникового преобразователя. Вычислено распределение потерь на преобразование источника и приемника излучения, а также потерь при входе электронов высоких энергий в полупроводник. Экспериментальные значения эффективности преобразования 0.4-0.7% хорошо согласуются с расчетными параметрами. |
| Амеличёв, В. В. | |
| Ключевые слова | источники питания |
|
бета-излучения p-i-n-диоды электроны высоких энергий полупроводниковые преобразователи |
|
|
Лакалин, А. В. Абанин, И. Е. Амеличев, В. В. Светухин, В. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 1. - С. 68-74 |
|
| Имя макрообъекта | Булярский_оптимизация |
| Тип документа | b |
