|
Оптимизация параметров источников питания, возбуждаемых бета-излучением Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Представлены результаты экспериментальных исследований и расчетов эффективности преобразования энергии источников бета-излучения Ni-63 в электрическую с помощью кремниевых p-i-n-диодов. Все вычисления выполнены с учетом распределения бета-электронов по энергиям. Получено выражение для напряжения холостого хода преобразователя с учетом распределения электронов высоких энергий в области пространственного заряда p-i-n-диода. Показаны пути оптимизации параметров преобразователя за счет совершенствования технологии изготовления диодов, оптимизации толщины активного слоя излучателя и i-области полупроводникового преобразователя. Вычислено распределение потерь на преобразование источника и приемника излучения, а также потерь при входе электронов высоких энергий в полупроводник. Экспериментальные значения эффективности преобразования 0.4-0.7% хорошо согласуются с расчетными параметрами. |
| Ключевые слова | источники питания |
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 1. - С. 68-74 |
|
| Имя макрообъекта | Булярский_оптимизация |
